Keramikas izsmidzināšanas mērķi
-
![4N ZrO2 izsmidzināšanas mērķis ar Cu aizmugures plāksni]()
4N ZrO2 izsmidzināšanas mērķis ar Cu aizmugures plāksniMūsu cirkonija dioksīda izsmidzināšanas mērķi ar atbalsta plāksnēm ir izgatavoti, izmantojot augstas -tīrības cirkonija dioksīda materiālu, kas ir droši savienots ar metāla pamatnes plāksni; šī...Vairāk -
![ZrC izsmidzināšanas mērķis ar Cu aizmugures plāksni]()
ZrC izsmidzināšanas mērķis ar Cu aizmugures plāksniMūsu cirkonija karbīda (ZrC) izsmidzināšanas mērķiem ar vara pamatnes plāksnēm ir spēcīga saikne starp augstas -tīrības ZrC mērķa materiālu un vara pamatni. Šis dizains nodrošina izcilu siltuma un...Vairāk -
![Ta 5at% leģēta ZrC izsmidzināšanas mērķis]()
Ta 5at% leģēta ZrC izsmidzināšanas mērķisPrecīza cirkonija karbīda dopinga ar 5 atomprocentu tantala attiecību ievērojami uzlabo mērķa materiāla augsto -temperatūras izturību, termisko triecienizturību un izturību pret koroziju. Lepojas...Vairāk -
![4N IGZO izsmidzināšanas mērķis]()
4N IGZO izsmidzināšanas mērķisMūsu 4N IGZO izsmidzināšanas mērķi nodrošina stabilāku un efektīvāku izsmidzināšanas veiktspēju. Tie ir specializēti augstākās klases-displeju un pusvadītāju lietojumprogrammām, un tie veicina...Vairāk -
![4N HfO2 mērķis ar Cu aizmugures plāksni]()
4N HfO2 mērķis ar Cu aizmugures plāksni4N HfO₂ izsmidzināšanas mērķis ar vara pamatni izmanto 99,99% tīrības hafnija oksīda materiālu. Integrēts ar vara pamatni, tas nodrošina izcilu siltumvadītspēju un ir ideāli piemērots optiskajam...Vairāk -
![4N HfO2 leģēts ar 2% Ti Target]()
4N HfO2 leģēts ar 2% Ti Target2% Ti-leģētais HfO₂ izsmidzināšanas mērķis ir izgatavots, izmantojot augstas-tīrības hafnija oksīda substrātu, kas precīzi leģēts ar 2% titānu. To raksturo tā kompozīcijas viendabīgums un augstais...Vairāk -
![4N HfO2 izsmidzināšanas mērķis]()
4N HfO2 izsmidzināšanas mērķis4 N augstas -tīrības pakāpes hafnija dioksīda izsmidzināšanas mērķis (99,99% tīrības pakāpe) — piemērots izmantošanai optiskajos pārklājumos, pusvadītājos un precīzās elektronikas iekārtās. Tam ir...Vairāk -
![B4C izsmidzināšanas mērķis]()
B4C izsmidzināšanas mērķisŠim produktam ir izmantotas augstas-tīrības bora karbīda izejvielas, un tam piemīt izcila cietība un spēcīga termiskā stabilitāte, kas padara to ideāli piemērotu pusvadītāju ražošanai, optiskajiem...Vairāk -
![Pielāgotas HfC daļiņas]()
Pielāgotas HfC daļiņasPielāgotu HfC daļiņu apraksts HfC daļiņas parasti tiek sintezētas, reaģējot hafnija dioksīdam (HfO₂) ar oglekli augstā temperatūrā (1900–2300 grādi) inertā vai reducējošā atmosfērā. Hafnija...Vairāk -
![Alvas oksīda (SnO2) izsmidzināšanas mērķis]()
Alvas oksīda (SnO2) izsmidzināšanas mērķisAlvas oksīda mērķis (SnO2) ir svarīgs neorganisks nemetālisks materiāls. Pateicoties savām unikālajām fizikālajām un ķīmiskajām īpašībām, tai ir svarīga loma daudzās augsto tehnoloģiju jomās. Tās...Vairāk -
![Tantala oksīda (Ta2O5) izsmidzināšanas mērķis]()
Tantala oksīda (Ta2O5) izsmidzināšanas mērķisTantala oksīda izsmidzināšanas mērķi var izmantot pusvadītāju, ķīmisko tvaiku pārklāšanas (CVD), fiziskās tvaiku pārklāšanas (PVD) displejā un optiskos lietojumos. Mēs esam augstas kvalitātes...Vairāk -
![Titāna oksīda (TiO2) izsmidzināšanas mērķis]()
Titāna oksīda (TiO2) izsmidzināšanas mērķisTitāna dioksīds (TiO2) ir visplašāk izmantotais baltais pigments, piemēram, krāsās. Tam ir augsts spilgtums un ļoti augsts refrakcijas indekss (2,609 rutilam).Vairāk
Mēs esam profesionāli keramikas izsmidzināšanas mērķu piegādātāji Ķīnā, kas specializējas augstas kvalitātes pielāgotu pakalpojumu sniegšanā. Mēs sirsnīgi sveicam jūs šeit noliktavā iegādāties keramikas izsmidzināšanas mērķus ar atlaidēm un saņemt bezmaksas paraugu no mūsu rūpnīcas. Par cenu konsultāciju sazinieties ar mums.