4N HfO2 izsmidzināšanas mērķa apraksts
Hafnija dioksīda mērķa materiāls ir funkcionāls materiāls, kas sastāv no augstas -tīrības pakāpes hafnija dioksīda (HfO₂), ko galvenokārt izmanto plānās-kārtiņu nogulsnēšanas procesos, piemēram, fizikālajā tvaiku pārklāšanā (PVD) un magnetronu izsmidzināšanā. Tās galvenās īpašības ietver augstu kušanas temperatūru, izcilu ķīmisko stabilitāti, izcilas elektriskās izolācijas īpašības un optisko caurspīdīgumu noteiktos viļņu garuma diapazonos. Augsta tīrība ir būtiska, lai nodrošinātu nogulsnēto plēvju viendabīgumu, to optisko veiktspēju un ierīces uzticamību, jo piemaisījumi var izraisīt plēves defektus. Mērķa materiāla kvalitātes stabilitāte tieši korelē ar nogulsnēšanas procesa atkārtojamību un galaprodukta iznākumu. Nepārtraukti pilnveidojoties pusvadītāju, optoelektronikas un progresīvām ražošanas tehnoloģijām, pieprasījums pēc augstas veiktspējas-hafnija dioksīda mērķiem nepārtraukti pieaug, piedāvājot plašas tirgus perspektīvas.
4N HfO2 izsmidzināšanas mērķa pielietojumi
Pusvadītāju ražošana: kā augstas -dielektriskās-konstantes (augstas-k) materiāls tiek izmantots progresīvu tranzistoru vārtu izolatoru ražošanā, tādējādi uzlabojot ierīces veiktspēju un miniaturizāciju.
Optoelektroniskās ierīces: pateicoties savām izcilajām optiskajām īpašībām,{0}}tādiem kā augsts refrakcijas indekss un zems absorbcijas zudums,{1}}tās plaši izmanto optisko pārklājumu ražošanā, lai ražotu pretatstarojošus slāņus, optiskos filtrus, lāzera komponentus un augstas veiktspējas optiskās plēves.
Speciāla keramika un pārklājumi: izmantojot savu augsto cietību un nodilumizturību, tas kalpo progresīvu keramikas materiālu, kā arī aizsargpārklājumu ražošanā, kas spēj izturēt augstu temperatūru un koroziju.
Pierobežas pētniecība: jaunās jomās, piemēram, kvantu skaitļošanā, hafnija dioksīdu var izmantot kā kubitu dielektrisku materiālu.
4N HfO2 izsmidzināšanas mērķa specifikācijas
Tīrība: 99,9%, 99,99%;
Ražošanas metode: karstās preses saķepināšana
Pieejamie izmēri:
Apļveida: diametrs mazāks vai vienāds ar 14 collām, biezums lielāks vai vienāds ar 3 mm;
Taisnstūrveida: garums mazāks vai vienāds ar 14 collām, platums mazāks vai vienāds ar 10 collām, biezums lielāks vai vienāds ar 3 mm.
Obligācijas veids: indija
4N HfO2 izsmidzināšanas mērķa kvalitātes kontrole un testēšana
Bieži uzdotie jautājumi par 4N HfO2 izsmidzināšanas mērķi
Vai jūs a rūpnīcas vai aražotājs?
A: Jā, mēs esam 4N HfO2 Sputtering Target rūpnīca, taču mēs parasti izmantojam savu tirdzniecības uzņēmumu, lai veiktu uzņēmējdarbību ārzemēs. Ērtāk būs saņemt sūtījumu un noformēt sūtījumu.
Kāda ir piegādes metode?
A: Parasti mēs nosūtām 4N HfO2 izsmidzināšanas mērķi, izmantojot UPS, DHL vai FedEx. Mēs varam arī nosūtīt pa jūru uz ostu vai pa gaisu uz tuvāko lidostu.
Kāpēc jūsu 4N HfO2 izsmidzināšanas mērķis ir tik ekonomiski-efektīvs?
A. Mēs izslēdzam starpniekus ražošanas procesa beigās-lai-beigtu ražošanas procesu, un mēs iegūstam izejmateriālu tieši no tā avota.
Vai jūs veicat vietas kvalitātes pārbaudiproduktiem?
A: Noteikti 100% pilna pārbaude. Visi nekvalificētie 4N HfO2 izsmidzināšanas mērķi tiek izmesti.
Kā jūs nodrošināt savu izpildes laiku?
A: No materiāla sagatavošanas līdz apstrādei un visbeidzot līdz pilnīgai pārbaudei. Katrs ražošanas posms tiek stingri uzraudzīts un kontrolēts, lai nodrošinātu precīzu piegādes laiku.
Kāds ir 4N HfO2 izsmidzināšanas mērķa MOQ?
A: Atkarīgs no 4N HfO2 izsmidzināšanas mērķa daudzuma; parasti nav MOQ ierobežojuma.
Kā samaksāt parproduktiem?
A: Bankas pārskaitījums (T/T) būs pieņemams.
Kāds ir piegādes laiks?
A: Apmēram 7-20 dienas, kas ir atkarīgs no 4N HfO2 izsmidzināšanas mērķa daudzuma un ražošanas.
Kāda veida iepakojums tas ir?
A: Parasti mēs izmantojam kartona kastīti vai saplākšņa korpusu ar aizsargmateriālu iekšpusē, lai nodrošinātu 4N HfO2 izsmidzināšanas mērķa drošību.
Kāds ir izpildes laiks?
A: No pasūtījuma veikšanas līdz kravas saņemšanai paies aptuveni 10-25 dienas.
Populāri tagi: 4n hfo2 izsmidzināšanas mērķis, Ķīna 4n hfo2 izsmidzināšanas mērķa piegādātāji, rūpnīca
