Silīcija (Si) izsmidzināšanas mērķis

Polikristāliskais silīcijs, saukts arī par polisilīciju vai poli-Si, ir augstas tīrības pakāpes polikristāliska silīcija forma, ko izmanto kā izejvielu saules fotoelementu un elektronikas rūpniecībā. Polisilīciju ražo no metalurģiskās kvalitātes silīcija ķīmiskās attīrīšanas procesā, ko sauc par Siemens procesu. Šis process ietver gaistošo silīcija savienojumu destilāciju un to sadalīšanos silīcijā augstā temperatūrā. Jaunā, alternatīvā pilnveidošanas procesā tiek izmantots verdošā slāņa reaktors.

Fotoelementu rūpniecība ražo arī modernizētu metalurģijas kvalitātes silīciju (UMG-Si), izmantojot metalurģijas, nevis ķīmiskās attīrīšanas procesus. Ražojot elektronikas rūpniecībai, polisilīcija piemaisījumu līmenis ir mazāks par vienu miljardu (ppb), savukārt polikristāliskais saules enerģijas kvalitātes silīcijs (SoG-Si) parasti ir mazāk tīrs.

Polisilīcija izejmateriāls — lieli stieņi, kas parasti sadalīti noteikta izmēra gabalos un pirms nosūtīšanas iepakoti tīrās telpās — tiek tieši ielieti daudzkristāliskos lietņos vai pakļauti pārkristalizācijas procesam, lai audzētu monokristālu buljonus. Pēc tam produktus sagriež plānās silīcija plāksnēs un izmanto saules bateriju, integrālo shēmu un citu pusvadītāju ierīču ražošanai.

Silīcija izsmidzināšanas mērķis kā ļoti svarīgs funkcionāls materiāls to galvenokārt izmanto SiO2, Si3N4 un citu dielektrisko slāņu nogulsnēšanai magnētiskās izsmidzināšanas procesā. Šīm plānām kārtiņām ir raksturīga lieliska cietība, optiskās, dielektriskās īpašības, nodilumizturība un izturība pret koroziju, ko plaši izmanto LCD caurspīdīgā vadošā stikla, LOW-E celtniecības stikla un mikroelektronikas jomā.

SiAl plakanais / rotējošais mērķis

SiO2 izsmidzināšanas mērķis

SiC izsmidzināšanas mērķis

Si3N4 izsmidzināšanas mērķis

Populāri tagi: silīcija (si) izsmidzināšanas mērķis, Ķīna silīcija (si) izsmidzināšanas mērķa piegādātāji, rūpnīca